Meijie Superhard Materials – Präzisionswerkzeuge für die globale Fertigung.
Die Auswahl der Schleifscheibe für die Halbleiterwaferbearbeitung umfasst Wafermaterial, Schleifstufe, Schleifkörnung, Gerätekompatibilität und Anforderungen an die Oberflächenqualität. Silizium- und SiC-Waferanwendungen erfordern unterschiedliche Überlegungen zum Materialabtrag, zur Schleifstabilität und zur Kontrolle von Oberflächenschäden.
Das Schleifen von SiC-Wafern stellt aufgrund der hohen Härte und des spröden Materialverhaltens von SiC größere Herausforderungen dar als das Schleifen von Silizium. Zu den Schlüsselfaktoren gehören der Materialabtrag, die Auswahl des Schleifwerkzeugs, Prozessparameter und die Kontrolle der Oberflächenqualität.
Risse, Absplitterungen und Defekte unter der Oberfläche. Schleifparameter, Schleifbedingungen und Wafermaterial sind Schlüsselfaktoren für die Aufrechterhaltung einer stabilen Oberflächenbeschaffenheit.
mit unterschiedlichen Prioritäten für Materialabtrag und Oberflächenqualität. Ihre Unterschiede in der Schleiftiefe, der Schleifkörnung, der Dimensionskontrolle und der Werkzeugauswahl wirken sich auf die Ergebnisse der Waferbearbeitung aus.
Oberflächenschäden beim Waferschleifen beeinträchtigen die Waferqualität durch Kratzer, Risse, Absplitterungen und Defekte unter der Oberfläche. Schleifparameter, Schleifbedingungen und Wafermaterial sind Schlüsselfaktoren für die Aufrechterhaltung einer stabilen Oberflächenbeschaffenheit.
Ein praktischer Vergleich von vierseitigen und herkömmlichen Glasschleifscheiben für unterschiedliche Produktionsanforderungen und Verarbeitungsbedingungen. Zu den wichtigsten Überlegungen gehören Durchsatz, Kantenqualität, Hochgeschwindigkeitsstabilität, Maschinenkompatibilität und Gesamtbetriebskosten.
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